碳化硅晶體結(jié)構(gòu)分為六方或菱面體的α-SiC和立方體的β-SiC（稱立方碳化硅)。α-SiC由于其晶體結(jié)構(gòu)中碳和硅原子的堆垛序列不同而構(gòu)成許多不同變體，已發(fā)現(xiàn)70余種。β-SiC于2100℃以上時(shí)轉(zhuǎn)變?yōu)棣?SiC。碳化硅的工業(yè)制法是用優(yōu)質(zhì)石英砂和石油焦在電阻爐內(nèi)煉制。煉得的碳化硅塊，經(jīng)破碎、酸堿洗、磁選和篩分或水選而制成各種粒度的產(chǎn)品。

　　SiC作為C和Si穩(wěn)定的化合物，其晶格結(jié)構(gòu)由致密排列的兩個(gè)亞晶格組成，每個(gè)Si(或C)原子與周邊包圍的C(Si)原子通過(guò)定向的強(qiáng)四面體sp3鍵結(jié)合，雖然SiC的四面體鍵很強(qiáng)，但層錯(cuò)形成能量卻很低，這一特點(diǎn)決定了SiC的多型體現(xiàn)象，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)SiC具有250多種多型體，每種多型體的C/Si雙原子層的堆垛次序不同。